快科技2月6日消息，三星已經(jīng)將全新的HPB（Heat Path Block）散熱技術(shù)應用于自家的Exynos 2600芯片，這項設計被視為半導體封裝領(lǐng)域的一次卓越突破，能將芯片的熱阻降低16%并顯著優(yōu)化溫控表現(xiàn)。
根據(jù)最新的行業(yè)報道，高通計劃在今年晚些時候亮相的驍龍8 Elite Gen6系列中也搭載同款HPB技術(shù)。目前的爆料顯示，高通正以5.0GHz甚至更高的主頻對驍龍8 Elite Gen6進行工程測試。這不僅意味著HPB技術(shù)已經(jīng)進入實測階段，也暗示了該技術(shù)是支撐超高頻率穩(wěn)定運行的關(guān)鍵。
從技術(shù)原理來看，HPB是一種直接放置在硅晶圓上的銅制散熱塊。在傳統(tǒng)的芯片設計中，DRAM內(nèi)存芯片通常直接堆疊在SoC上方，這種結(jié)構(gòu)會形成一個熱阱，導致核心熱量難以散發(fā)，只能依賴外部的VC均熱板或石墨片進行繁重的導熱。
而HPB技術(shù)則將內(nèi)存芯片移至處理器側(cè)邊，騰出的空間由高導熱的銅塊直接覆蓋在核心上，從源頭上縮短了散熱路徑。
資料顯示，驍龍8 Elite Gen6系列將首次采用臺積電2nm工藝制程（N2P），其CPU主頻有望突破5.0GHz大關(guān)。對于移動端處理器而言，主頻越高，瞬時功耗和發(fā)熱就越恐怖。如果沒有HPB這種高效的封裝級散熱方案，即便有頂級的工藝加持，芯片也很難在如此高的頻率下長時間維持性能輸出。
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